研究実績|成塚研究室


2020年 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年 2014年 2013年 2012年 2011年 2010年 2009年 2008年 2007年 2006年 <発表論文2013> Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima, “Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 06GD02-1-4. K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka “Study on Surface Modifikation of GaN by Atmospheric Microplasma”, IEEE Transactions on Industry Applications, 49, (2013) 2308-2313. Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura,　Takahiro Maruyama　and Shigeya Naritsuka, “Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure”, J. Res. Inst. Meijo Univ., 12 (2013) 99. Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama, “Study of Thermal Crystallization of Ni Catalysis for Graphene CVD”, J. Res. Inst. Meijo Univ., 12 (2013) 43. Shota Uchiyama, Chia-Hung Lin, Yohei Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “Effect of Supply Direction of Precursors on a-Plane GaN Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by Ammonia-Based Metal?Organic Molecular Beam Epitaxy” Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JE04. S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama, “Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”, J. Crystal. Growth 378 (2013) 303-306. Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama, “Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”, physica status solidi (c) 10 (2013) 392-395. <国内学会2013> 廣田雄二郎, 伊覇広夢, 鬼頭佑典, 鈴木学, 加藤浩直, 山本菜緒, 丸山隆浩, 成塚重弥， “グラフェンマスク上のGaAs MBE選択成長メカニズムの検討”、第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS08. 鈴木学，鬼頭佑典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩， “Ni触媒を用いたアルコールCVD法による多層グラフェンの成長” 、第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS38. 冨田将史、高倉宏幸、岩川宗樹、水野陽介、山田純平、菱田武重、神林大介、成塚重弥， “GaAs MCEにおけるスパイラルステップを用いた表面過飽和度の評価” 、第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS19. 加藤浩直，山本菜緒，廣田雄二郎，伊覇広夢，成塚重弥，丸山隆浩， “GaN超低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに関する基礎的検討” 、第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS11. 冨田将史，高倉宏幸，岩川宗樹,水野陽介,山田純平,菱田武重,神林大介,成塚重弥, “GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおけるマスクパターン形状による過飽和度制御”, 第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）20p-D3-6. 高倉宏幸,冨田将史,神林大介,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,成塚重弥,丸山隆浩， “GaN 横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長”、第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）17p-P7-4. 近藤弘基, Ranajit Ghosh, 成塚重弥, 丸山隆浩, 飯島澄男, “EB 蒸着法により作製したPt 触媒を用いた　高真空アルコールガスソース法によるSWNT 低温成長” 第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）16p-B3-1. M.Tomita，H.Takakura，T.Hishida，D.Kanbayashi，S.Naritsuka andT.Maruyama, “Study of abnormal growth in (100) GaAs microchannel epitaxy ?Effect of mask pattern?” 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th2-7. H. Iha, Y. Hirota, Y. Shirai, T. Iwatsuki, H. Kato, N. Yamamoto, S. Naritsuka and T. Maruyama, “Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2, and graphene masks by molecular beam epitaxy”, 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th2-6. Nao yamamoto,Hironao Kato,Yujiro Hirota,Hiromu Iha,Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka, “Low temperature selective growth of c-plane GaN using a Ti mask by RF-MBE”, 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th3-18. 鈴木陽平，内山翔太，丸山隆浩，成塚重弥， “二段階成長を用いたLAIMCEによるa面GaNの合体平坦化” 　第５回窒化物半導体結晶成長講演会、大阪大学、6月21-22日(2013) ST01. 高倉宏幸，神林大介，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩， “タングステマクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長” 第５回窒化物半導体結晶成長講演会、大阪大学、6月21-22日(2013) ST02. 加藤浩直，岩月剛徳，山本奈緒，白井優也，廣田雄二郎，伊覇広夢，成塚重弥，丸山隆浩, “窒素ラジカル分子線成長によるGaNの選択成長” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 29p-G20-20. 廣田雄二郎，白井優也，伊覇広夢，岩月剛徳，加藤浩直，山本奈緒，成塚重弥，丸山隆浩, “グラフェンマスクの簡易パターニングとGaAs選択成長への応用” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 29a-PB7-13. 神林大介，高倉宏幸，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩, “電流制御型液相成長を用いたGaNの選択成長” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 28p-PA1-16. 近藤弘基，福岡直也，Ghosh Ranajit，成塚重弥，丸山隆浩，飯島澄男, “EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 27p-G12-3 矢嶋孝敏，成塚重弥，丸山隆浩, “SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 27p-G12-16. 鬼頭佑典，山内洋哉，鈴木学，成塚重弥, 丸山隆浩, “パターン化Ni 触媒を用いたグラフェンのアルコールCVD 成長” 第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 28p-PB3-14. 福岡直也, 近藤弘基, 澤木祐哉, Ranajit Ghosh, 成塚重弥, 丸山隆浩　 “高真空アルコールガスソース法によるAl2Ox層上Pt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長” 第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム、東京大学、3月11日-13日（2013）2P-26. <国際学会2013> Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima, “Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalyst by Alcohol Gas Source Method”, 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, December 1-6 (2013). T. Yajima, S. Naritsuka, and T. Maruyama, “Carbon Nanotube/n-type SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC: Growth and Electric Property”, 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, MA, December 1-6 (2013) SS19.26. Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka, “Selective growth of (0 0 1) GaAs using patterned graphene mask”, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) G10/Mo115. Shigeya Naritsuka, Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, and Takahiro Maruyama, “c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure”, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) T03/ThO1. Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki and Shigeya Naritsuka, “Behavior of Defects in a-Plane GaN Films Grown by Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy (LAIMCE)” 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) G07/ThO2. Yujiro Hirota and Shigeya Naritsuka, “Selective growth of (001) GaAs with graphene mask”, 15th Interanational Summer School on Crystal Growth, Gdansk, Poland, 4th-10th, August, (2013) P19. Hiroki Kondo，Naoya Fukuoka，and Shigeya Naritsuka ，Takahiro Maruyama, “Low temperature synthesis and growth mechanism of single-walled carbon nanotubes from Pt catalyst in the alcohol gas source method”, The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT13), Dipoli Congress Center, Espoo, Finland, June 24-28 (2013). D. Kanbayashi, T. Hishida, M. Tomita, H. Takakura, T. Maruyama and S. Naritsuka, “Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution”, 25th Interanational Conference on Indium Phoshide and Related Maerials, Kobe, Japan 19-23 May, (2013) MoPI-4.

         2020年         2019年         2018年         2017年         2016年
         2015年         2014年         2013年         2012年         2011年
         2010年         2009年         2008年         2007年         2006年

         <発表論文2013>

         Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima,
         “Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts
         Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 06GD02-1-4.

         K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka
         “Study on Surface Modifikation of GaN by Atmospheric Microplasma”,
          IEEE Transactions on Industry Applications, 49, (2013) 2308-2313.

         Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita,
          Hiroyuki Takakura,　Takahiro Maruyama　and Shigeya Naritsuka,
         “Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure”,
          J. Res. Inst. Meijo Univ., 12 (2013) 99.

         Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama,
         “Study of Thermal Crystallization of Ni Catalysis for Graphene CVD”,
          J. Res. Inst. Meijo Univ., 12 (2013) 43.

         Shota Uchiyama, Chia-Hung Lin, Yohei Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “Effect of Supply Direction of Precursors on a-Plane GaN Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy
          by Ammonia-Based Metal?Organic Molecular Beam Epitaxy”
          Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JE04.

         S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama,
         “Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy
          by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”,
          J. Crystal. Growth 378 (2013) 303-306.

         Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama,
         “Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy
          by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”,
          physica status solidi (c) 10 (2013) 392-395.

         <国内学会2013>

         廣田雄二郎, 伊覇広夢, 鬼頭佑典, 鈴木学, 加藤浩直, 山本菜緒, 丸山隆浩, 成塚重弥，
         “グラフェンマスク上のGaAs MBE選択成長メカニズムの検討”、
         第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS08.

         鈴木学，鬼頭佑典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩，
         “Ni触媒を用いたアルコールCVD法による多層グラフェンの成長” 、
         第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS38.

         冨田将史、高倉宏幸、岩川宗樹、水野陽介、山田純平、菱田武重、神林大介、成塚重弥，
         “GaAs MCEにおけるスパイラルステップを用いた表面過飽和度の評価” 、
         第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS19.

         加藤浩直，山本菜緒，廣田雄二郎，伊覇広夢，成塚重弥，丸山隆浩，
         “GaN超低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに関する基礎的検討” 、
         第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）、長野市生涯学習センター、長野、11月6-8日、(2013) 07PS11.

         冨田将史，高倉宏幸，岩川宗樹,水野陽介,山田純平,菱田武重,神林大介,成塚重弥,
         “GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおけるマスクパターン形状による過飽和度制御”,
          第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）20p-D3-6.

         高倉宏幸,冨田将史,神林大介,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,成塚重弥,丸山隆浩，
         “GaN 横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長”、
          第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）17p-P7-4.

         近藤弘基, Ranajit Ghosh, 成塚重弥, 丸山隆浩, 飯島澄男,
         “EB 蒸着法により作製したPt 触媒を用いた　高真空アルコールガスソース法によるSWNT 低温成長”
          第７４回応用物理学会周期学術講演会、同志社大学、京都、９月１６-２０日、（２０１３）16p-B3-1.

         M.Tomita，H.Takakura，T.Hishida，D.Kanbayashi，S.Naritsuka andT.Maruyama,
         “Study of abnormal growth in (100) GaAs microchannel epitaxy ?Effect of mask pattern?”
          32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th2-7.

         H. Iha, Y. Hirota, Y. Shirai, T. Iwatsuki, H. Kato, N. Yamamoto, S. Naritsuka and T. Maruyama,
         “Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2,
          and graphene masks by molecular beam epitaxy”,
          32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th2-6.

         Nao yamamoto,Hironao Kato,Yujiro Hirota,Hiromu Iha,Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka,
         “Low temperature selective growth of c-plane GaN using a Ti mask by RF-MBE”,
          32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Laroret Biwako, Shiga, July 10-12nd (2013) Th3-18.

         鈴木陽平，内山翔太，丸山隆浩，成塚重弥，
         “二段階成長を用いたLAIMCEによるa面GaNの合体平坦化”
         　第５回窒化物半導体結晶成長講演会、大阪大学、6月21-22日(2013) ST01.

         高倉宏幸，神林大介，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩，
         “タングステマクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長”
          第５回窒化物半導体結晶成長講演会、大阪大学、6月21-22日(2013) ST02.

         加藤浩直，岩月剛徳，山本奈緒，白井優也，廣田雄二郎，伊覇広夢，成塚重弥，丸山隆浩,
         “窒素ラジカル分子線成長によるGaNの選択成長”
          第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 29p-G20-20.

         廣田雄二郎，白井優也，伊覇広夢，岩月剛徳，加藤浩直，山本奈緒，成塚重弥，丸山隆浩,
         “グラフェンマスクの簡易パターニングとGaAs選択成長への応用”
          第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 29a-PB7-13.

         神林大介，高倉宏幸，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩,
         “電流制御型液相成長を用いたGaNの選択成長”
         第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 28p-PA1-16.

         近藤弘基，福岡直也，Ghosh Ranajit，成塚重弥，丸山隆浩，飯島澄男,
         “EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長”
          第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 27p-G12-3

         矢嶋孝敏，成塚重弥，丸山隆浩,
         “SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性”
         第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 27p-G12-16.

         鬼頭佑典，山内洋哉，鈴木学，成塚重弥, 丸山隆浩,
         “パターン化Ni 触媒を用いたグラフェンのアルコールCVD 成長”
         第60回応用物理学関係連合講演会、神奈川工業大学、3月27日-30日 (2013) 28p-PB3-14.

         福岡直也, 近藤弘基, 澤木祐哉, Ranajit Ghosh, 成塚重弥, 丸山隆浩　
         “高真空アルコールガスソース法によるAl2Ox層上Pt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長”
         第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム、東京大学、3月11日-13日（2013）2P-26.

         <国際学会2013>

         Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima,
         “Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution
          from Pt Catalyst by Alcohol Gas Source Method”,
          2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, December 1-6 (2013).

         T. Yajima, S. Naritsuka, and T. Maruyama,
         “Carbon Nanotube/n-type SiC Heterojunction by Surface Decomposition
         of SiC: Growth and Electric Property”,
          2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, MA, December 1-6 (2013) SS19.26.

         Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito,
         Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka,
         “Selective growth of (0 0 1) GaAs using patterned graphene mask”,
          17th International Conference on Crystal Growth
         and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) G10/Mo115.

         Shigeya Naritsuka, Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, and Takahiro Maruyama,
         “c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure”,
          17th International Conference on Crystal Growth
         and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) T03/ThO1.

         Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin,
          Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki and Shigeya Naritsuka,
         “Behavior of Defects in a-Plane GaN Films Grown by Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy (LAIMCE)”
          17th International Conference on Crystal Growth
         and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11th-16th August, (2013) G07/ThO2.

         Yujiro Hirota and Shigeya Naritsuka,
         “Selective growth of (001) GaAs with graphene mask”,
          15th Interanational Summer School on Crystal Growth, Gdansk, Poland, 4th-10th, August, (2013) P19.

         Hiroki Kondo，Naoya Fukuoka，and Shigeya Naritsuka ，Takahiro Maruyama,
         “Low temperature synthesis and growth mechanism
         of single-walled carbon nanotubes from Pt catalyst in the alcohol gas source method”,
          The Fourteenth International Conference on the Science
         and Application of Nanotubes (NT13), Dipoli Congress Center, Espoo, Finland, June 24-28 (2013).
         D. Kanbayashi, T. Hishida, M. Tomita, H. Takakura, T. Maruyama and S. Naritsuka,
         “Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution”,
          25th Interanational Conference on Indium Phoshide
          and Related Maerials, Kobe, Japan 19-23 May, (2013) MoPI-4.