成塚研究室

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         <発表論文2010>

         Yung-Sheng Chang, Shegeya Naritsuka, and Tatau Nishinaga,
         “Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate”,
         J. Crystal Growth, 312 (2010) 629-634.

         K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, and S. Naritsuka,
         “Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC 
         (000-1)”,
         J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 4054-4059.

         Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with
         Alcohol Gas Source Method”,
         J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 3929-3933.

         T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, and S. Naritsuka,
         “Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum”,
         J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 4095-4101.

         <国内学会2010>

         林 家弘,阿部亮太,丸山隆浩,成塚重弥、
         “アンモニア系MOMBEを用いたGaN選択成長の結晶表面形態に与える温度の効果”
         第71回応用物理学会学術講演会 14a-C-9、長崎大学、9月14日-17日 (2010).

         阿部亮太,林 家弘,丸山隆浩,成塚重弥、
         “MOMBEを用いたGaN選択成長に付随する横方向成長”
         第71回応用物理学会学術講演会 14a-C-10、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         小島春輝,佐藤秀治郎,風間正志,成塚重弥,丸山隆浩、
         “温度差法LPEを用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーのための成長条件の検討”
          第71回応用物理学会学術講演会、14a-ZQ-9、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         佐藤秀治郎,小島春輝,成塚重弥,丸山隆浩、
         “電流制御型LPEを用いたGaSb (001)の成長 −電流値依存性−”
         第71回応用物理学会学術講演会 16p-ZV-4、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         榊原悟史,丸山隆浩,成塚重弥、
         “SiC表面分解法により形成したCNT/SiC接合界面の電気的特性”
         第71回応用物理学会学術講演会 16p-ZQ-3、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         丸山隆浩,榊原悟史,成塚重弥,雨宮健太、
         “SiC表面分解によるカーボンナノチューブ生成初期過程のその場NEXAFS測定の試み”
         第71回応用物理学会学術講演会 17a-ZQ-3、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         水谷芳裕,佐藤一徳,丸山隆浩,成塚重弥、
         “高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒の効果”
         第71回応用物理学会学術講演会 17a-ZQ-7、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         五百川隆康,丸山隆浩,成塚重弥、
         “アルコールガスソース法によるZnO単結晶表面上カーボンナノチューブ成長”
         第71回応用物理学会学術講演会17a-ZQ-8、長崎大学、9月14日-17日(2010).

         伊藤宏晃、榊原悟史、石黒祐樹、丸山隆浩、成塚重弥、
         “6H-SiC(000-1)の高真空下での表面分解によるカーボンナノチューブ成長”
         第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 2P-22、京都大学、9月5日-7日(2010).

         水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、
         “高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒の役割”
         第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 2P-21、京都大学、9月5日-7日(2010).

         成塚重弥、
         “MOMBEを用いたGaNの選択成長、横方向成長”、
         分子線エピタキシー結晶成長研究会、長岡技術科学大学、7月23-24日(2010)(招待講演).

         Y. Ando, D. Kanbayashi, T. Kawakami, H. Sato, T. Maruyama and S. Naritsuka,
         “Fabrication of AlGaAs-based Vertical Cavity Surface Emitting Laser on Si Substrate using Microchannel Epitaxy”,
         29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Th3-3, Laforet Shuzenji, Izu, July 14-16 (2010).

         Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka,
         “Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”,
          29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Th3-3, Laforet Shuzenji, Izu, July 14-16 (2010).

         風間正志、小島春輝、佐藤秀治郎、成塚重弥、丸山隆弘、
         “アンモニアガスを用いた液相成長によるGaN薄膜の成長”、
         第2回窒化物半導体結晶成長講演会 三重大学 5月14-15日(2010).

         阿部亮太、林家弘、丸山隆浩、成塚重弥、
         “MOMBEによるGaNの選択成長、横方向成長”、
         第2回窒化物半導体結晶成長講演会 三重大学 5月14-15日.

         大澤佑来,長江祐基,成塚重弥,丸山隆浩
         “(111)B GaAs 低角入射マイクロチャネルエピタキシー”
         第57回応用物理学関係連合講演会、19a-TW-7、東海大学、3月17〜20日(2010)

         長江 祐基、大澤 佑来、成塚 重弥、丸山 隆浩
         “RF-MBE法によるGaN選択成長および横方向成長の条件検討”、
         第57回応用物理学関係連合講演会、19a-TB-3、東海大学、3月17〜20日(2010)

         佐藤一徳、水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、
         “SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”(高真空中
         アルコールガスソース法を用いたAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒上のSWNT成長)、
         第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 3P-7、 名城大学、3月2日―3月4日(2010).

         <国際学会2010>

         Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”,
         The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010).

         Yuki Nagae, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, and Yuki Osawa,
         “Optimization of growth conditions for selective growth and lateral growth of GaN by RF-MBE”,
         The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010).

         Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy”,
         The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010).

         Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”,
         The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010).

         Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka,
         “Low angel incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy”,
         The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-14), Dalian, China, August 1-7 (2010).

         Takahiro Maruyama, Kuninori Sato,and Shigeya Naritsuka,
         “Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”
         11th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10), 278, Montreal, Canada, June
         27-July 2 (2010).

         Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, and Takahiro Maruyama,
         “XPS study of Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical Source”,
         The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, Kagawa, Japan, May 31-June 4
         (2010).

         D. Kanbayashi, Y. Ando, T. Kawakami, S. Naritsuka, and T. Maruyama,
         “AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy”
         The TMS Annual Meeting & Exhibition, Washington State Convention Center, WA, USA, February 14-18, (2010).


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