2020年 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年 2014年 2013年 2012年 2011年 2010年 2009年 2008年 2007年 2006年 <発表論文2010> Yung-Sheng Chang, Shegeya Naritsuka, and Tatau Nishinaga, “Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate”, J. Crystal Growth, 312 (2010) 629-634. K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, and S. Naritsuka, “Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC (000-1)”, J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 4054-4059. Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method”, J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 3929-3933. T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, and S. Naritsuka, “Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum”, J. Nanotechnol. Nanosci., 10 (2010) 4095-4101. <国内学会2010> 林 家弘,阿部亮太,丸山隆浩,成塚重弥、 “アンモニア系MOMBEを用いたGaN選択成長の結晶表面形態に与える温度の効果” 第71回応用物理学会学術講演会 14a-C-9、長崎大学、9月14日-17日 (2010). 阿部亮太,林 家弘,丸山隆浩,成塚重弥、 “MOMBEを用いたGaN選択成長に付随する横方向成長” 第71回応用物理学会学術講演会 14a-C-10、長崎大学、9月14日-17日(2010). 小島春輝,佐藤秀治郎,風間正志,成塚重弥,丸山隆浩、 “温度差法LPEを用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーのための成長条件の検討” 第71回応用物理学会学術講演会、14a-ZQ-9、長崎大学、9月14日-17日(2010). 佐藤秀治郎,小島春輝,成塚重弥,丸山隆浩、 “電流制御型LPEを用いたGaSb (001)の成長 −電流値依存性−” 第71回応用物理学会学術講演会 16p-ZV-4、長崎大学、9月14日-17日(2010). 榊原悟史,丸山隆浩,成塚重弥、 “SiC表面分解法により形成したCNT/SiC接合界面の電気的特性” 第71回応用物理学会学術講演会 16p-ZQ-3、長崎大学、9月14日-17日(2010). 丸山隆浩,榊原悟史,成塚重弥,雨宮健太、 “SiC表面分解によるカーボンナノチューブ生成初期過程のその場NEXAFS測定の試み” 第71回応用物理学会学術講演会 17a-ZQ-3、長崎大学、9月14日-17日(2010). 水谷芳裕,佐藤一徳,丸山隆浩,成塚重弥、 “高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒の効果” 第71回応用物理学会学術講演会 17a-ZQ-7、長崎大学、9月14日-17日(2010). 五百川隆康,丸山隆浩,成塚重弥、 “アルコールガスソース法によるZnO単結晶表面上カーボンナノチューブ成長” 第71回応用物理学会学術講演会17a-ZQ-8、長崎大学、9月14日-17日(2010). 伊藤宏晃、榊原悟史、石黒祐樹、丸山隆浩、成塚重弥、 “6H-SiC(000-1)の高真空下での表面分解によるカーボンナノチューブ成長” 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 2P-22、京都大学、9月5日-7日(2010). 水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、 “高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒の役割” 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 2P-21、京都大学、9月5日-7日(2010). 成塚重弥、 “MOMBEを用いたGaNの選択成長、横方向成長”、 分子線エピタキシー結晶成長研究会、長岡技術科学大学、7月23-24日(2010)(招待講演). Y. Ando, D. Kanbayashi, T. Kawakami, H. Sato, T. Maruyama and S. Naritsuka, “Fabrication of AlGaAs-based Vertical Cavity Surface Emitting Laser on Si Substrate using Microchannel Epitaxy”, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Th3-3, Laforet Shuzenji, Izu, July 14-16 (2010). Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka, “Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Th3-3, Laforet Shuzenji, Izu, July 14-16 (2010). 風間正志、小島春輝、佐藤秀治郎、成塚重弥、丸山隆弘、 “アンモニアガスを用いた液相成長によるGaN薄膜の成長”、 第2回窒化物半導体結晶成長講演会 三重大学 5月14-15日(2010). 阿部亮太、林家弘、丸山隆浩、成塚重弥、 “MOMBEによるGaNの選択成長、横方向成長”、 第2回窒化物半導体結晶成長講演会 三重大学 5月14-15日. 大澤佑来,長江祐基,成塚重弥,丸山隆浩 “(111)B GaAs 低角入射マイクロチャネルエピタキシー” 第57回応用物理学関係連合講演会、19a-TW-7、東海大学、3月17〜20日(2010) 長江 祐基、大澤 佑来、成塚 重弥、丸山 隆浩 “RF-MBE法によるGaN選択成長および横方向成長の条件検討”、 第57回応用物理学関係連合講演会、19a-TB-3、東海大学、3月17〜20日(2010) 佐藤一徳、水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、 “SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”(高真空中 アルコールガスソース法を用いたAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒上のSWNT成長)、 第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 3P-7、 名城大学、3月2日―3月4日(2010). <国際学会2010> Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum”, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010). Yuki Nagae, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, and Yuki Osawa, “Optimization of growth conditions for selective growth and lateral growth of GaN by RF-MBE”, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010). Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy”, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010). Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy”, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13(2010). Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka, “Low angel incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy”, The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-14), Dalian, China, August 1-7 (2010). Takahiro Maruyama, Kuninori Sato,and Shigeya Naritsuka, “Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum” 11th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10), 278, Montreal, Canada, June 27-July 2 (2010). Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, and Takahiro Maruyama, “XPS study of Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical Source”, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010). D. Kanbayashi, Y. Ando, T. Kawakami, S. Naritsuka, and T. Maruyama, “AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy” The TMS Annual Meeting & Exhibition, Washington State Convention Center, WA, USA, February 14-18, (2010). |